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DMN62D0SFD-7 |
3-UDFN | Diodes Inc | 6168 | 询价QQ: |
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DMN62D0SFD-7参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):540mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30.2pF @ 25V 功率 - 最大值:430mW 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 同轴,RF1-1337484-0 同轴,RF - 适1-1478041-0 同轴,RF1-1337491-0 板至板 - 接头,1-5536279-1 同轴,RF - 适1-1478042-0 在系列适配器之间1-1478036-0 同轴,RF1-1337588-0 Hard Metr1766268-1 同轴,RF1-1337587-0 圆形1811797-3 |